近年來隨著手機(jī)快充技術(shù)的迅猛發(fā)展，比較典型應(yīng)用快充技術(shù)有：高通的Quick Charge 2.0/3.0、MTK的PUMP EXPRESS PLUS以及OPPO的VOOC閃充等。常見的充電電壓有5V、9V和12V三種，相對于高壓充電有的手機(jī)商更傾向于大電流充電，如有OPPO閃充的充電電流4A，華為Mate 9的充電電流5A等。然而在高電壓大電流的充電環(huán)境下，各種危險(xiǎn)信號也隨之而來，所預(yù)防浪涌等級標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提升，另外各大手機(jī)廠商紛紛將焦點(diǎn)放在尚未開發(fā)完全的印度市場，由于印度市場的電網(wǎng)等基礎(chǔ)設(shè)施較弱，很容易導(dǎo)致手機(jī)被EOS損壞，所以手機(jī)終端客戶在EOS保護(hù)方案和防護(hù)等級上就提出了更高的要求。

手機(jī)端的（8/20μs）浪涌防護(hù)等級已經(jīng)從之前的100V/200V/300V提高到現(xiàn)在的450V要求,有的甚至更高的需求（OVP+TVS）方案。為解決手機(jī)端的浪涌防護(hù)問題，矽航半導(dǎo)體提供單個(gè)分立元器件的V-bus端和V-bat端的浪涌防護(hù)方案。目前矽航半導(dǎo)體推出一系列DFN2*2和SOD323系列防浪涌器件，相比較市面上的一些器件，我們的器件箝位電壓更低，電流I_PP更大，一致性可靠，其性能遠(yuǎn)超市面上同類型的產(chǎn)品，為客戶提供全面的EOS防護(hù)方案。